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zoom RSS LTspice bjt 準飽和領域のモデルパラメータ quasi saturation

<<   作成日時 : 2016/12/04 12:48   >>

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世の中は、MOSFETが幅を利かせている。バイポーラトランジスタは古いデバイスなのだろうか?LTspice(作者は、spiceを小文字で書いている)の使われていないbjtパラメータを幾つか変動させて、静特性を持て見ました。
最初に、回路図に全ての情報を書き込みました。
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標準のbjt(NPN)のパラメータのデフォルトから、変更する部分を最小限に指定しています。パラメータを変更したいものは、変数名を{変数名}にしています。同じ回路図にパラメータを「。PARAM」でダイレクトに設定しました。「.STEP」でパラメータをスイープして、グラフに表示します。
デフォルトのままのグラフです。「RCO」のデフォルトが「ゼロ」なので、関連するパラメータは計算されません。
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次に、RCOの影響を見ます。基本的に、コレクタの抵抗なので大きくすると、コレクタ電流が減少します。つまり、hFEが低下することになります。
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次は、オフセット電圧VOを変えてみます。VOは、素材によって違いますが、シリコンでは、2.1Vくらいを境にして大きく変わるようです。SPICEのデフォルトは、10Vです。
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最後に、GAMMAを変えてみます。静特性の肩部分が変化します。電力用の高耐圧トランジスタは、コレクタの耐圧を上げる為の工夫があいてあります。この為、GAMMA値が、10n(1e-9)程度になるようです。
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今回は、自分の備忘録です。

SPICEのFET(特にMOSFET)は、等価モデルが沢山あって、使うたびに、目的に合わせたモデルを作っているような気がします。無償提供のモデルだけで、シミュレーションが何でもできるならば、簡単なのですが。
デバイスのモデルは、詳細に合せ込む程、半導体の設計製造プロセスを基準にする必要があり、モデルの暗号化や、IBISモデルだけでのシミュレーションになります。ほんとにこれで、設計ができるのか、不安です。
しかし、通常の回路設計で、シミュレーションを行うことが少なくなっています。しなくても、動くし、問題があっても、直せないし、修正されるまで、待つ状態が多いような気がします。

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